光电信息材料与器件团队孙辉老师于2014年7月以第一作者在材料类国际知名期刊《Journal of Crystal Growth》（IF=1.698）杂志上发表题为《Morphological and structural evolution during thermally physical vapor phase growth of PbI2 polycrystalline thin films》的学术论文。（Journal of Crystal Growth, 405, 2014: 29–34）

该论文主要研究了采用物理气相法生长PbI2多晶膜材料的形貌和结构演化过程。PbI2是一种可用于室温核辐射探测与成像的新型化合物半导体材料，其熔点较低，采用物理气相法可实现低生长温度工艺的高质量膜层材料的快速制备。该论文通过特殊工艺控制，结合原子力显微镜(AFM)首次观察并阐明了PbI2薄膜生长中的晶核凝结、生长、长大，六方晶粒的形成，以及晶粒取向、排列的微观演化过程。该论文结果为制备用于辐射探测成像器件的高质量PbI2多晶厚膜材料的工艺选择与控制提供了有力支撑。